衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响

• 作者: 何炜瑜 张德贤 李涛 蔡宏琨 阮建明 隋妍萍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb多晶薄膜 共蒸发 衬底温度
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 1115-1119
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2940字
• 语种: 中文

摘要

采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料.研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系.通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响.GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105 cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大；衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V·s,空穴浓度为3×1017 cm-3.GaSb薄膜的表面粗糙度随温度增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	39	185	8.0	12.0
2	张德贤	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	22	77	5.0	8.0
3	蔡宏琨	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	13	26	3.0	4.0
4	隋妍萍	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	4	9	2.0	3.0
5	阮建明	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	1	2	1.0	1.0
6	何炜瑜	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	1	2	1.0	1.0