第三代半导体碳化硅项目落户海淀园

• 来源期刊: 中关村
• 学科: 经济
• 关键词: 碳化硅 半导体 第三代 海淀园 技术转移中心 产业化项目 生产场地 租赁协议
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 78
• 页数: 1页
• 分类号: F276.44
• 语种: 中文

摘要

经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户海淀区.该项目及运营团队去年由中科院技术转移中心推荐,在区领导和中关村管委会的大力支持与直接推进下,经多次协调、反复比选,项目中试及初期生产场地最终确定在东升科技园,目前已签订租赁协议;