全球精度最高的全硅CMOS振荡器

• 作者: 章从福
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 全硅 频率精度 石英晶体 频率源 千兆以太网 锁相 通信事业部 频率误差 业界标准 相位噪声
• 年，卷（期）: bdtxx_2011,（1）
• 页码范围: 11-12
• 页数: 2页
• 分类号: F416.63

摘要

【正】混合信号半导体解决方案供应商IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的100 ppm总频率误差。IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术,可以用一个100 ppm及以下频率精度的单片CMOS IC取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口,如千兆以太网、SAS、超高速USB(USB 3.0)和PCI