用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究

• 作者: 何利文 向伟玮 张秋萍 文莉 曾洪江 褚家如
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺 微放电 亚胺化 刻蚀速率 介电性能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 114-118
• 分类号: TN104.2
• 字数: 3468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.01.23

摘要

研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能.分析了聚酰亚胺制备过程中 亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄 膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路.实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10% CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高 的刻蚀速率.实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚家如	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	76	566	14.0	19.0
2	张秋萍	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	6	13	2.0	3.0
3	文莉	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	18	49	4.0	6.0
4	向伟玮	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	4	19	2.0	4.0
5	何利文	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	3	5	2.0	2.0
6	曾洪江	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	1	2	1.0	1.0