含Rashba自旋轨道耦合二维电子气结构中电子反常位移及自旋分离

• 作者: 杨晓芳
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 自旋分离 Goos-H(a)nchen位移 Rashba自旋轨道耦合
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 量子光学
• 页码范围: 318-323
• 分类号: O436.1|TN011
• 字数: 2374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.03.012

摘要

研究了含Rashba自旋轨道耦合的磁电调制半导体二维电子气中弹道电子反常位移(Goos-H(a)nchen位移,即GH位移),实现了弹道电子的自旋分离,为自旋分离器件的设计提供了理论依据.研究结果表明:通过调节结构的各个参数包括入射角、磁场强度和Rashba自旋轨道耦合系数,可以有效地调控GH位移;位移在一定条件下可以为正也可以为负;体系中弹道电子的GH位移和自旋极化态有密切关系,这个自旋相关的位移可以用来分离不同自旋极化的电子束.基于这些现象,提出了一种利用GH位移在半导体2DEG中分离不同自旋极化电子的方法,这些现象在设计自旋电子学器件上有所作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓芳	上海大学理学院物理系	1	0	0.0	0.0