锗硅器件高频噪声的去嵌算法研究

• 作者: 周天舒 徐向明 李平梁 蔡描 黄景丰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高频噪声 噪声系数 去嵌 噪声相关性矩阵 锗硅器件
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 598-603
• 分类号: O411|TN325
• 字数: 2769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.006

摘要

提出了一种“开路-直通”的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法.和传统的需要配备两个“直通”结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上,只需要使用一个“开路”结构和一个“直通”结构,而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试及去嵌,结果显示,使用该方法测试及去嵌后的精度几乎不受影响.该方法的意义在于能极大地减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积；同时,又减少了测试时间、提高了测试效率,极大地降低了成本.