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Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET

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篇名 Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年，卷（期） 2011,（6） 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 36-39
页数 分类号 TN386.1
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-4926/32/6/064004
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11-5781/TN
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