纳米工艺下基于gatea_gnd的存储器低功耗技术研究与实现

• 作者: 赖新 赵信 赵冠一 郭昕 黄金明
• 来源期刊: 高性能计算技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗gated_gnd存储器
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 高性能计算应用分析
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

在纳米工艺下,漏电功耗已经成为制约集成电路发展的瓶颈之一.gated_gnd是一种常用的存储器低功耗设计方法,能够有效地减小sRAM的漏电.本文在此方法基础上实现了低功耗存储器设计,同时也提出了该方法改良电路,使得gated_gnd方法在各种工艺偏斜下具有更好的健壮性.从仿真结果看,该方法可以节省50%以上的漏电功耗.