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摘要:
采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管.实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5 mA.二极管在可见光的平均透过率约为25%.
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文献信息
篇名 磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 磁控溅射NiO/ZnO 异质结二极管
年,卷(期) 2011,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 33-35
页数 分类号 TN313.2
字数 1871字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 祁康成 电子科技大学光电信息学院 65 340 10.0 14.0
2 张国宏 电子科技大学光电信息学院 5 35 4.0 5.0
3 权祥 电子科技大学光电信息学院 4 35 4.0 4.0
4 文永亮 电子科技大学光电信息学院 4 27 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射NiO/ZnO
异质结二极管
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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5460
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21
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27643
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