真空热处理制备Cr2O3-石墨插层化合物工艺参数研究

• 作者: 张艳 许并社
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空热处理 石墨 CrO3 插层 XRD XPS
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 9-12
• 分类号: TB333
• 语种: 中文

摘要

以三氧化铬(CrO3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr2O3)-石墨的插层化合物(GICs).运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物.结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO3与石墨(石墨∶CrO3=1∶1)与形成了纯5阶的石墨的插层化合物.XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用真空热处理的方法使一些非碳反应物(Cr2O3)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构.X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
5	张艳	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	23	180	8.0	13.0