栅隧穿电流分量研究

• 作者: 赖忠有
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: MOS器件 栅氧化层 隧穿
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 测试测量技术
• 页码范围: 5-6,10
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.12.002

摘要

MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究了栅隧穿电流分量及其特性,并针对四端MOS器件给出了相应的栅隧穿电流分量测试原理及构思。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖忠有	中国空空导弹研究院元器件检测中心	5	1	1.0	1.0