离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较

• 作者: 刘明健 崔晓辉 张燕 袁宝吉 谷铁男 闫学昆
• 来源期刊: 辐射防护通讯
• 关键词: 半导体探测器 温度特性 离子注入型 金硅面垒型
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 经验交流
• 页码范围: 26-28
• 分类号: TL814
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-6356.2011.02.006

摘要

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明健		23	80	5.0	8.0
2	张燕		23	55	4.0	6.0
3	谷铁男		10	21	3.0	4.0
4	袁宝吉	海军潜艇学院培训系	12	31	4.0	4.0
5	闫学昆		7	7	2.0	2.0
6	崔晓辉		2	4	1.0	2.0