脉冲压缩开关DBD研究

• 作者: 刘忠山 崔占东 杨勇 谭科民 陈洪斌 马红梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 延迟击穿器件 半导体断路开关 高重复频率超宽带源 延迟击穿 脉冲压缩
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 595-597,608
• 分类号: TN313.6
• 字数: 2220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.005

摘要

延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点.利用此种开关对基于半导体断路开关( semiconductoropening switches,sos)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带脉冲源.介绍了DBD开关的基本工作原理和研制结果,给出了在相同测试条件下,与国外同类开关的测试结果对比波形,结果表明,研制的DBD开关和国外开关的指标基本相同,其中某些指标优于国外开关水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭科民	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	13	3.0	3.0
2	杨勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	33	79	4.0	8.0
3	崔占东	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	29	3.0	5.0
4	马红梅	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	14	3.0	3.0
5	刘忠山	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	15	3.0	3.0
6	陈洪斌	中国工程物理研究院应用电子学研究所	55	229	8.0	12.0