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GaN功率技术引发电子转换的革命
GaN功率技术引发电子转换的革命
作者:
Tim McDonald
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
功率技术
电子转换
GAN
功率MOSFET
HEXFET
引发
双极性晶体管
电子产品
摘要:
引言 当市场上还未有功率MOSFET的时候,双极性晶体管是重要的功率电子产品,另一方面,线性供电支配着电源世界。到了30年前,包括已经成为IR商标的HEXFET在内的商用硅HEXFET推出市场,功率电子便来个翻天覆地的功率
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GaN微电子器件的研究进展
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基于GaN HEMT的Doherty功率放大器设计
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篇名
GaN功率技术引发电子转换的革命
来源期刊
电源技术应用
学科
工学
关键词
功率技术
电子转换
GAN
功率MOSFET
HEXFET
引发
双极性晶体管
电子产品
年,卷(期)
2011,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
71-73
页数
3页
分类号
TN86
字数
语种
DOI
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单位
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Tim McDonald
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功率技术
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GAN
功率MOSFET
HEXFET
引发
双极性晶体管
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电源技术应用
主办单位:
陕西省电源学会
西安市电源学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0219-2713
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座24层
邮发代号:
创刊时间:
1998
语种:
chi
出版文献量(篇)
6708
总下载数(次)
26
总被引数(次)
11064
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