基于薄膜工艺的X波段下变频器设计

• 作者: 敬守钊 王韧 赵岩
• 来源期刊: 无线通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 下变频器 薄膜混合集成 低噪声放大器 混频器
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 33-38,42
• 分类号: TN773.4
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8329.2011.04.009

摘要

本文介绍了一个基于薄膜电路工艺设计、加工的X波段下变频器.首先对整体方案进行分析论证,然后运用安捷伦公司的ADS仿真设计软件,对射频及中频滤波器、朗格电桥、低噪声放大器和混频器等电路单元及变频器系统进行了仿真设计.最后经过加工测试验证,该变频器性能指标良好.其工作频率为9.35GHz - 9.85GHz,变频增益≥26dB,噪声系数≤2dB,P01dB压缩点功率≥10dBm,输入、输出驻波≤1.3,镜像抑制比≥50dB；本振输入为0±1dBm.整个电路腔体结构尺寸为70mm×20mm×10mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	敬守钊		20	79	6.0	7.0
2	王韧		3	4	1.0	2.0
3	赵岩		4	18	2.0	4.0