功率HIC基板及其工艺布局设计研究

• 作者: 周曦 夏俊生
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率混合集成电路(HIC) 功率基板 工艺布局
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 10-14,17
• 分类号: TN305.94
• 字数: 5025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.10.005

摘要

基板选用和工艺布局是功率混合集成电路两项重要技术内容。根据基板材料不同，功率基板及其布线工艺主要分为陶瓷基板和金属基板两大类。常规陶瓷基板以96％Al2O3陶瓷为代表，高导热陶瓷基板以BeO、AIN陶瓷为代表。陶瓷功率基板大部分采用厚膜布线工艺，另一种布线方式是DBC布线。绝缘金属基板的种类很多，最常使用的是铝基板，另外一种是不锈钢基板。功率HIC．Y--艺布局有两种主要形式，即单基板一体化布局和分立布局。前者适用于中低功率电路，后者适用于高功率电路。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏俊生		10	25	3.0	4.0
2	周曦		1	2	1.0	1.0