低热膨胀系数纳米碳化硅/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能

• 作者: 党智敏 吕静
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺 碳化硅 热膨胀系数 介电性能 热稳定性
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TB332|TM215.3
• 语种: 中文

摘要

以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺（n-SiC/PI）复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪（TMA）、阻抗分析仪和热重分析（TG）研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳定性。结果表明：SiC粒子均匀分散在PI基体中,复合薄膜的热膨胀系数（CTE）随着SiC含量的增加逐渐减小,SiC质量分数为15%时,CTE降低了11%,且复合膜的热膨胀系数实验值比较接近于Kerner公式的计算值。复合膜的介电常数和介电损耗随着填料含量的变化而变化,但始终维持在较低的范围内,并在相当大的频率范围内保持稳定。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	党智敏		23	302	11.0	17.0
2	吕静		1	0	0.0	0.0