新型微电子技术电离辐射总剂量效应面临的挑战

• 作者: 张凤祁 张科营 王伟 罗尹虹 赵雯 郭红霞
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 浅槽隔离 总剂量效应 微剂量效应
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 115-119
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.01.028

摘要

随着器件特征尺寸的不断减小,在器件结构和工艺上采取了新的措施.分析了STI(shallow trench isolation)隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理;对不同工艺集成电路的抗总剂量TID(Total Ionizing Dose)能力进行了比较分析;对近来比较关注的重离子引起的微剂量效应进行了介绍;最后对可能替代体硅器件的新型器件总剂量效应能力进行了预估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	张凤祁		40	169	8.0	10.0
3	郭红霞		81	385	10.0	13.0
4	王伟		14	84	5.0	9.0
5	赵雯		10	25	3.0	4.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0