MoO3和SiO2掺杂对Ce0.8dND0.2O1.9固体电解质结构和导电性能的影响

• 作者: 周德凤 夏燕杰 孟健 杨梅 赵桂春
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: MoO3掺杂 烧结助剂 晶界改善剂 电导率
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 860-864
• 分类号: O614.33
• 字数: 3859字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶法合成高纯(＜50 mg·kg-1SjO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响.通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻.结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺人NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周德凤	长春工业大学化学与生命科学学院	53	214	8.0	10.0
2	夏燕杰	中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室	3	9	2.0	3.0
3	赵桂春	长春工业大学化学与生命科学学院	5	17	2.0	3.0
4	杨梅	长春工业大学化学与生命科学学院	5	18	3.0	4.0
5	孟健	长春工业大学化学与生命科学学院	2	6	2.0	2.0