快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响

• 作者: 丁晓琴 何明华 魏榕山
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 速热退火 Ge量子点 双晶X射线衍射 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 259-262
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响.结果表明:随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧.在1000℃退火20 s后,量子点材料已经完全弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何明华		63	217	7.0	13.0
2	魏榕山		37	39	3.0	4.0
3	丁晓琴		1	0	0.0	0.0