宽禁带圆片在室温下与Si片的接合

• 作者: 孙再吉
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 三菱重工 圆片 Si片 电子材料 自主知识产权 宽禁带 温下 热应力
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 17-17
• 页数: 1页
• 分类号: F426.63

摘要

【正】据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分别与Si片直接接合。通过材料高效、高品质的接合,为新器件的开发、新器件的规模化生产开拓了新的途径。常温下接合,主要采用在真空条件下通过离子束照射,激活接合