硅片背面铜污染的清洗

• 作者: 陈波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜污染 湿法 单片清洗 硅片背面 刻蚀
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 14-16,87
• 分类号: TN305.99
• 字数: 2424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.005

摘要

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液.在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果.通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈波		4	6	2.0	2.0