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摘要:
为了研究光谱非相关激光辐照下探测器芯片前后表面温度变化规律,通过铂电阻测温的方法,测量了芯片后表面的温度变化规律.通过标定芯片前表面结电场分离电子-空穴对能力随温度变化的关系,利用组合激光的实验方法测量了光谱非相关激光辐照过程中芯片前表面的温度变化规律.研究表明,光谱非相关激光辐照过程中芯片前后表面都有温升,但后表面温度一直高于前表面温度.
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文献信息
篇名 实验研究光谱非相关激光辐照下光伏型HgCdTe探测器芯片前后表面的温升
来源期刊 国防科技大学学报 学科 工学
关键词 光谱非相关激光 光伏型HgCdTe探测器 温度场
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 光电工程
研究方向 页码范围 9-12
页数 分类号 TN249
字数 1779字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2486.2011.02.003
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研究主题发展历程
节点文献
光谱非相关激光
光伏型HgCdTe探测器
温度场
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
国防科技大学学报
双月刊
1001-2486
43-1067/T
大16开
湖南省长沙市开福区德雅路109号
42-98
1956
chi
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