薄壁开口定向氮掺杂碳纳米管的制备及其优异的场发射性能

• 作者: 吕瑞涛 吴德海 崔同湘 康飞宇 王昆林 黄正宏
• 来源期刊: 炭素
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 薄壁开口定向 氮掺杂 场发射效应
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 8-12
• 分类号: TB383|TQ127.1
• 字数: 1708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8948.2011.01-002

摘要

以乙腈为碳源,二茂铁为催化剂,用化学气相沉积(CVD)法,制备了薄壁开口定向氮掺杂的多壁碳纳米管.在780℃～860℃的生长温度范围内,随着温度的升高,碳纳米管的场发射效应增强.当生长温度为860℃时,制备碳纳米管的开启电场为0.27V/μm,阈值电场为0.49V/μm,增强因子为1.09×105.与其他材料相比,这种碳纳米管体现了非常优越的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴德海	清华大学机械工程系先进成型制造教育部重点实验室	17	151	8.0	12.0
2	王昆林	清华大学机械工程系先进成型制造教育部重点实验室	36	736	17.0	26.0
3	康飞宇	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	156	2338	29.0	42.0
4	黄正宏	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	64	1142	19.0	32.0
5	崔同湘	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	2	16	1.0	2.0
6	吕瑞涛	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	13	72	4.0	8.0