石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

• 作者: 方艳红 连慧婷 陈国华
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 石墨烯 壳聚糖 阳极溶出伏安法 Cu2+
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 529-531
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文

摘要

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强于裸GCE及CS/GCE.在优化实验条件下,Cu2+的浓度在1.0～80.0μmol·L-1范围内与阳极溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.999 6,检出限为12.66 nmol·L-1,所制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国华	华侨大学材料科学与工程学院	62	1177	16.0	33.0
2	方艳红	华侨大学材料科学与工程学院	10	84	6.0	9.0
3	连慧婷	华侨大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0