MgB2薄膜的制备与特殊性质

• 作者: 冯庆荣 吴桃李 张琰 王银博 陈晋平
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 混合物理化学气相沉积法 MgB2薄膜 转变温度Tc
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R～T曲线知道样品Tc(0)高达40.1K由M～T曲线知道其Tc=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M～H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下Jc(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琰		30	134	7.0	11.0
2	陈晋平		6	25	3.0	5.0
3	冯庆荣		28	65	5.0	6.0
4	王银博		4	4	1.0	2.0
5	吴桃李		4	1	1.0	1.0