利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究

• 作者: 李昕 杨涛 陈良月 陶煜 高怀
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ESD保护电路 键合线 新型结构 抗静电能力 射频性能
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 封装、检测与设备
• 页码范围: 804-808
• 分类号: TN305.96
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.015

摘要

提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构.该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能.针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0～4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于- 10 dB,最高工作频率为4.3 GHz；新型ESD保护电路结构在0～5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于- 10 dB,最高工作频率为5.6 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨涛	东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心	30	141	7.0	10.0
2	陈良月	东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心	4	19	3.0	4.0
3	李昕	东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心	9	48	5.0	6.0
4	陶煜	东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心	3	16	2.0	3.0