TiB2/SiC陶瓷复合材料制备工艺的研究

• 作者: 王伟 茹红强 连景宝
• 来源期刊: 材料与冶金学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原位合成 硼化钛 碳化硅 复合材料构
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料制备
• 页码范围: 23-29
• 分类号: TB335
• 字数: 4399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6620.2011.01.006

摘要

以TiO2、B4C和C为原料,基于原位合成法在SiC基体中生成TiB2颗粒,并采用无压烧结法制备出TiB2/SiC复合陶瓷.通过对复合材料制备工艺的研究,发现:高于1 300℃的预烧结能形成TiB2/SiC复合陶瓷坯体.C含量、烧结温度和保温时间对复合材料的相对密度均有影响.当C含量(质量分数)为4%时、在1 400℃×60min+2000℃×30 min的烧结工艺下能够制备出致密的TiB2/SiC陶瓷复合材料.微米级TiO2粉比纳米级TiO2粉更有利于形成较致密的烧结复合材料.随着生成TiB2体积分数的增加(5%～20%),复合材料中TiB2颗粒逐渐粗化,间距逐渐变小.对复合材料的烧结机理还进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹红强	东北大学材料与冶金学院	92	421	10.0	15.0
2	王伟	东北大学材料与冶金学院	67	1833	16.0	42.0
3	连景宝	东北大学材料与冶金学院	6	31	4.0	5.0