用于InP基DHBT制备的GaAs0.51 Sb0.49湿法腐蚀研究

• 作者: 孙浩 徐安怀 朱福英 滕腾 艾立鹍 齐鸣
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 镓砷锑 湿法腐蚀 磷化铟 双异质结晶体管
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 12-16
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.003

摘要

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51 Sb0.49湿法腐蚀研究工作.对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究.和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度.作为验征,采用最优体积比5∶1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSb DHBT器件.