高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征

• 作者: 冯宇 冯秋菊 孙景昌 宋哲 李梦轲 梁红伟 王珏 蒋俊岩 赵涧泽 陶鹏程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: As掺杂 ZnO纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 154-158
• 分类号: O472|O482.31
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113202.0154

摘要

在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列.样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量.场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100nm,长度约为1.5 μm.此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在.在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格.As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法.