氮掺杂对4H—SiC电子结构的影响

• 作者: 刘小玲 张操 楚广勇 罗荣辉 郭小伟 霍艳芳
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 4H—SiC 掺杂 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 实验装置与技术
• 页码范围: 20-22
• 分类号: TN248.1
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2011.06.011

摘要

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H—SiC的本征态的电子结构以及4H—SiC材料N掺杂后的电子结构，计算结果表明：与本征态相比，N掺杂后的4H—SiC的导带与价带均向低能端移动，导带移动幅度大于价带，使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度：导带底进入N的2s态和2p态，但它们所占比重小，掺杂浓度变化对导带底影响较小；价带顶进入N的2p态，随掺杂浓度增加，其向低能端移动较多，使得禁带宽度增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘小玲	郑州大学物理与工程学院	23	124	6.0	10.0
2	罗荣辉	郑州大学物理与工程学院	33	219	7.0	13.0
3	楚广勇	郑州大学物理与工程学院	3	8	2.0	2.0
4	霍艳芳	郑州大学物理与工程学院	3	7	2.0	2.0
5	郭小伟	郑州大学物理与工程学院	3	20	3.0	3.0
6	张操	郑州大学物理与工程学院	3	20	3.0	3.0