基于遗传算法多子阵平板天线旁瓣电平优化

• 作者: 姚敏立 林志强 沈晓卫
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多子阵平板天线 动中通 遗传算法 旁瓣抑制
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 369-375
• 分类号: TN820.1
• 字数: 5645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0388.2011.02.027

摘要

从理论上分析了多子阵平板天线的方向图特性,指出其旁瓣电平难以通过传统的不等幅馈电技术得以抑制.以降低天线扫描范围内的最高旁瓣电平为目标,采用遗传算法对子阵间距进行优化,并在间距优化的基础上讨论了天线单元方向性与不等幅馈电技术对旁瓣电平的影响.仿真结果证明了理论分析的正确性,表明子阵间距优化可以显著降低天线的旁瓣电平,且在天线口径相同的情况下,所划分的子阵数越多则优化效果越明显.所用方法和分析结果可为多子阵平板天线的设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈晓卫		8	67	4.0	8.0
2	姚敏立		39	255	10.0	15.0
3	林志强		3	15	2.0	3.0