超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

• 作者: 肖强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC单晶 超声研磨 表面特征 材料去除率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 496-499
• 分类号: TG580
• 字数: 2527字
• 语种: 中文

摘要

为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺.实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低.本文同时分析了材料去除率提高与表而粗糙度值降低的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖强	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	23	175	7.0	12.0