磁控溅射沉积非晶碳膜微结构及电学性能

• 作者: 冶艳 尚魁平 江利 葛培林 鲍明东
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶碳膜 磁控溅射 微观结构 电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 34-37,54
• 分类号: TG174.444|TB43
• 字数: 3311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.010

摘要

在单晶Si (100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构；用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的C1s峰位于284～285 eV之间,Cls峰分峰拟舍得出sp2C的原子数分数为59％左右,碳键以sp2结构为主；四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×10-6Ω·m.可以认为:制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江利	中国矿业大学材料科学与工程学院	52	441	10.0	19.0
2	葛培林	宁波工程学院材料工程研究所	4	7	2.0	2.0
3	鲍明东	宁波工程学院材料工程研究所	29	102	6.0	8.0
4	尚魁平	中国矿业大学材料科学与工程学院	4	12	3.0	3.0
6	冶艳	中国矿业大学材料科学与工程学院	4	12	3.0	3.0