外延CeO2高k栅介质层的结构及介电性能

• 作者: 代鹏超 刘保亭 娄建忠 李曼 赵冬月
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底外延CeO2薄膜 高k栅介质层 介电性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-35
• 分类号: TN384
• 字数: 3342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.03.010

摘要

利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10～40nm的外延CeO<,2>薄膜,构建了Pt/CeO<,2>/Si MOS结构.研究了CeO<,2>薄膜的界面及介电性能,实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO<,2>薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度.由等效氧化物厚度一物理厚度曲线得出CeO<,2>薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO<,2>薄膜界面态密度为10<,12>量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	李曼	河北大学物理科学与技术学院	13	54	4.0	7.0
3	赵冬月	河北大学物理科学与技术学院	5	36	3.0	5.0
4	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
5	代鹏超	河北大学电子信息工程学院	3	8	1.0	2.0