Mg2Si薄膜的磁控溅射制备及表征

• 作者: 余志强 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Mg2Si 溅射功率 择优取向
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 56-58
• 分类号: O484.1
• 字数: 1815字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射的方法在Si(100)衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜.通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响,得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性.结果表明,在Si(100)衬底上,Mg2Si薄膜具有(220)的择优生长特性,并且在50～80W的溅射功率范围内,随着溅射功率的增加,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0
6	肖清泉	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0