ZnO压敏电阻两片并联方法及性能分析

• 作者: 张枨 张鹏 李祥超 汝洪博
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻片 并联 电流偏差 通流容量 残压
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 34-37
• 分类号: TM23
• 字数: 3199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.12.010

摘要

目前,常采用将压敏电阻片( MOV)并联的方法来提高压敏型电涌保护器(SPD)的通流容量和电压保护水平.根据ZnO压敏电阻的伏安特性,利用冲击发生器HAEFELY PSURGE 30.2和CJ1001型压敏电阻直流参数仪进行了大规模实验,通过对实验数据进行对比分析发现,将压敏电压U1mA作为并联选片的参数是可行的；双片MOV并联的通流容量是单片MOV通流容量的1.4～1.6倍,MOV并联使用能够降低残压以及提高电压保护水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏		17	55	3.0	7.0
2	张枨	南京信息工程大学雷电科学与技术系	10	174	7.0	10.0
3	李祥超	南京信息工程大学雷电科学与技术系	72	323	10.0	16.0
4	汝洪博		3	73	2.0	3.0