负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响

• 作者: 佟莉娜 张琳琳 李鹏 王丽格 黄美东
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN薄膜 基底负偏压 反应磁控溅射法
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 38-41
• 分类号: O484.4
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2011.02.010

摘要

利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压对AIN择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算结果可知,薄膜在可见光和红外区域透射率高,随着偏压的增大,薄膜的折射率也随之增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美东	天津师范大学物理与电子信息学院	56	185	7.0	10.0
2	李鹏	天津师范大学物理与电子信息学院	7	44	2.0	6.0
3	张琳琳	天津师范大学物理与电子信息学院	5	51	3.0	5.0
4	王丽格	天津师范大学物理与电子信息学院	8	60	4.0	7.0
5	佟莉娜	天津师范大学物理与电子信息学院	7	57	4.0	7.0