GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

• 作者: 周建军 国云川 徐跃杭 徐锐敏 陈勇波
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 84-88
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能.对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周建军	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	10	24	3.0	4.0
2	徐跃杭	电子科技大学电子工程学院	10	41	4.0	5.0
3	国云川	电子科技大学电子工程学院	5	20	3.0	4.0
4	徐锐敏	电子科技大学电子工程学院	30	327	10.0	17.0
5	陈勇波	电子科技大学电子工程学院	2	10	2.0	2.0