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摘要:
报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845~880℃时InAs的生长速率曲线.
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文献信息
篇名 测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率
来源期刊 物理实验 学科 物理学
关键词 MBE RHEED GaAs(001)衬底 强度振荡 InAs生长速率
年,卷(期) 2011,(1) 所属期刊栏目 实验与应用
研究方向 页码范围 11-15
页数 分类号 O484.1
字数 1666字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-4642.2011.01.003
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研究主题发展历程
节点文献
MBE
RHEED
GaAs(001)衬底
强度振荡
InAs生长速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理实验
月刊
1005-4642
22-1144/O4
大16开
长春市人民大街5268号东北师范大学内
12-44
1980
chi
出版文献量(篇)
3869
总下载数(次)
22
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
贵州省优秀科技教育人才省长专项基金
英文译名:
官方网址:http://www.gzgov.gov.cn/file/2007-4-23-02.doc
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导