测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率

• 作者: 丁召 周勋 尚林涛 张毕禅 罗子江 邓朝勇 郭祥
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: MBE RHEED GaAs(001)衬底 强度振荡 InAs生长速率
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 实验与应用
• 页码范围: 11-15
• 分类号: O484.1
• 字数: 1666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2011.01.003

摘要

报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.