增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

• 作者: 张严波 张仁平 杜彦东 杨富华 熊莹 韩伟华 颜伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 增强型 阈值电压 氮化铝镓
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 771-777
• 分类号: TN386.3
• 字数: 3939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.008

摘要

随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点.增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用.近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度；在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度.从影响器件阂值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向.