Si0.2Ge0.8/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长

• 作者: 屠海令 常青 徐文婷 肖清华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 加工测量设备
• 页码范围: 797-801
• 分类号: TN304.42|TN304.2
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.12.009

摘要

采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结.利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征.还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响.结果表明,低能条件下(30 keV)离子注入有利于形成SiGe外延层；通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成；而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	肖清华		8	72	5.0	8.0
3	常青		4	26	2.0	4.0
4	徐文婷		5	42	3.0	5.0