硅基含能材料爆炸性能研究

• 作者: 任小明 刘兰 卢斌 彭志明 薛艳 解瑞珍 韩克华
• 来源期刊: 爆破器材
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米多孔硅 含能材料 表征 爆炸
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 12-14
• 分类号: TJ450.1|TQ560.7|TD235.2
• 字数: 1842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8352.2011.05.004

摘要

采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜.通过扫描电镜(SEM)、能量色谱(EDS)对多孔硅结构参数以及多孔硅含能材料性能进行了分析,同时进行了爆炸性能测试.结果表明:采用电化学腐蚀法可以制备出20nm左右孔径的多孔硅膜；通过原位装药技术形成的多孔硅含能材料在开放空间以及热能、机械撞击、电能、激光能量刺激下发生猛烈爆炸作用.