多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

• 作者: 邓婉玲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜晶体管 参数提取 RPI模型 迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 194-198,209
• 分类号: TN321.3|TN304.12
• 字数: 3987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.005

摘要

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点.对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径.归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略.此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等.参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考.最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓婉玲	暨南大学信息科学技术学院电子工程系	12	16	3.0	3.0