Zn2SiO4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响

• 作者: 姜胜林 张光祖 翁俊梅 郭立 黄国贤
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌压敏电阻 Zn2SiO4掺杂 晶粒 电学性能
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-26,35
• 分类号: TM277
• 字数: 3409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.09.007

摘要

采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响.结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75％(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀；电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15 μA,样品在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜胜林	华中科技大学电子科学与技术系	101	727	15.0	21.0
2	张光祖	华中科技大学电子科学与技术系	18	45	4.0	6.0
3	郭立	华中科技大学电子科学与技术系	4	56	3.0	4.0
4	黄国贤	华中科技大学电子科学与技术系	1	10	1.0	1.0
5	翁俊梅	华中科技大学电子科学与技术系	1	10	1.0	1.0