GaAs光电导开关激子效应的光电导特性

• 作者: 施卫 马湘蓉
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 关键词: GaAs光电导开关 光激发电荷畴 激子效应 光电导特性
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 151-155
• 分类号: 7220H
• 字数: 4635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2011.02.005

摘要

从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性；光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件.影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移.在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学理学院	85	925	17.0	25.0
2	马湘蓉	西安理工大学理学院	5	29	3.0	5.0