CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究

• 作者: 丁群 何知宇 刘勇 朱世富 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锌镉 钝化 热处理 漏电流 电阻率 成分分析
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 1107-1110
• 分类号: O78
• 字数: 1464字
• 语种: 中文

摘要

报道了CdZnTe晶片表面钝化后,热处理工艺对其性能的影响.先采用30％的H2O2钝化抛光好的CdZnTe 晶片,然后在恒温干燥箱中进行热处理；最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响.分析表明:CdZnTe钝化后在大气氛围120℃下热处理40 min,表面H2TeO3、H6TeO6等分解较为完全,晶片表面氧化层分布均匀,表面漏电流显著减小,晶体电阻率提高1～2个数量级,对提高探测器的性能有重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	刘勇	四川大学材料科学系	113	795	15.0	23.0
3	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
4	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
5	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
6	丁群	四川大学材料科学系	1	2	1.0	1.0