AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

• 作者: 张仁平 杜彦东 杨富华 韩伟华 颜伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 高电子迁移率晶体管 AlGaN 微波晶体管 功率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 79-86
• 分类号: TN386.3
• 字数: 5323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.02.003

摘要

首先论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响AlGaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高AI-GaN/GaN HEMT的频率和功率性能,需改善寄生电阻、电容、栅长和击穿电压等参数.然后,着重从材料结构和器件工艺的角度阐述了近年来AlGaN/GaN HEMT的研究进展,详细归纳了目前主要的材料生长和器件制作工艺,可以看出基本的工艺思路是尽量提高材料二维电子气的浓度和材料对二维电子气的限制能力的同时减小器件的寄生电容和电阻,增强栅极对沟道的控制能力.另外,根据具体情况调节栅长及沟道电场.最后,简要探讨了AlGaN/GaN HEMT还存在的问题以及面临的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩伟华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	20	98	5.0	9.0
2	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
3	颜伟	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	7	50	4.0	7.0
4	张仁平	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	2	13	1.0	2.0
5	杜彦东	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	2	31	2.0	2.0