Go/NoGo实验下NoGo-N2、P3效应分析

• 作者: 刘铁军 尹刚
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 事件相关电位 NoGo-N2效应 NoGo-P3效应 反应抑制 刺激 反应
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 生物电子学
• 页码范围: 465-469
• 分类号: TP202+.1
• 字数: 3694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.03.027

摘要

在Go/NoGo实验范式下用事件相关电位研究反应抑制脑机制时,传统的研究结果显示在大脑前额区NoGo任务下的N2,P3成份分别相对于Go4任务有负向、正向的偏移,即No(30-N2效应和NoGo-P3效应.由于在Go任务中行为反应引发了运动相关成份的叠加效果,可能导致真实的NoGo-N2、P3效应被掩盖.为了恢复真实NoGo-N2、P3效应,采用刺激、反应成份分解算法消除Go条件下运动相关成份的影响.结果表明,NoGo-P3效应来自运动相关成份的叠加效果,有可能与反应抑制过程无关,而NoGo-N2效应则反映了反应抑制过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘铁军	电子科技大学神经信息教育部重点实验室	13	73	6.0	8.0
2	尹刚	电子科技大学神经信息教育部重点实验室	5	12	3.0	3.0