GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析

• 作者: 何志刚 史同飞 石瑞英 程兴华 蔡娟露 钟玉杰 龚敏
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaMnAs 遗传算法 洛伦兹振子模型 缺陷 XRD 红外光谱
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究中的应用
• 页码范围: 238-243
• 分类号: O484.4|O474|O433.4
• 字数: 2298字
• 语种: 中文

摘要

利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化.并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石瑞英	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	28	141	7.0	11.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	109	372	10.0	12.0
3	何志刚	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	3	0	0.0	0.0
4	蔡娟露	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	4	2	1.0	1.0
5	程兴华		1	0	0.0	0.0
6	钟玉杰	中科院固体物理所	1	0	0.0	0.0
7	史同飞	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	1	0	0.0	0.0